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混合信号技术造就了体积更小的电源IC

发布时间:2020-07-21 18:37:32 阅读: 来源:羽毛球厂家

AMI Semiconductor公司(位于美国爱华达州Pocatello)通过减小高压晶体管的导通电阻RDS(on)(降幅高达25%)和提高晶体管效率的方法,而使其混合信号半导体技术得到了进一步的改善。凭借这些经过改进的晶体管性能,该技术(名为I2T100 Smart Power)有望减小中高电压汽车和工业混合信号IC的外形尺寸和功耗。---该技术将基于0.7μm混合信号CMOS制造工艺的40V、60V和100V晶体管,以及低、中和高电压电路、高精度模拟电路、非易失性存储器和某些中等复杂度的数字电路集成在单片芯片之上。最新版的I2T100通过在后端工艺中提供新功能的办法缩小了最常用的DMOS晶体管的节距。对于40V和60V实现方案,这将使晶体管的体积缩小25%左右,从而能够在不牺牲性能的情况下造就体积更小的混合信号ASIC和ASSP。---此外,在晶体管面积相同的条件下,这种新版本的功耗要低得多。这一技术改进将使需要耗用高达5A电流(如嵌入式功率开关、H桥式电路和其他应用)的器件从中受益。---I2T100器件采用2~3层金属、浮动NMOS和PDMOS晶体管以及双极型晶体管,从而为实现中高阻性多晶硅电阻器、中高电压浮动电容器以及深掺n+保护环的集成创造了条件。目前,除了高精度模拟电路(如带隙滤波器以及ADC和DAC)之外,ASIC和ASSP还能够集成电机控制器驱动器和DC/DC转换器,从而最大限度地缩短了新设计的面市时间。

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